近年來，電子技術(shù)的發(fā)展，使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，但也給電源設(shè)計(jì)提出了新的難題。
開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出?？旎謴?fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。
同步整流可提升效率，同時(shí)也能夠極大地幫助瞬態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)。它為電源預(yù)加載提供了一種有效的方法。另外，相比擺動電感，它還擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。它提高了傳統(tǒng)降低電壓轉(zhuǎn)換器，以及所有其他能夠使用同步整流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的動態(tài)性。
飛楊電源技術(shù)（深圳）有限公司是一家以電源設(shè)計(jì)開發(fā)銷售為主的科技公司,
計(jì)有876名工人, 廠房面積:23000平方米，月產(chǎn)能 2KK pcs各種電源, 年銷售額4.5億元
氮化廠家采用的GaN氮化材料穩(wěn)定又堅(jiān)硬，它的熔點(diǎn)約為1700℃，做成GaN功率器件（GaNFET）后可以在200℃以上的高溫下工作。氮化比硅材料的禁帶寬度大3倍、擊穿場強(qiáng)高10倍、飽和電子遷移速度倍、熱導(dǎo)率高2倍，這些性能提升帶來的優(yōu)勢就是它比硅更適合做大功率高頻的功率器件。假如電源插孔內(nèi)的交流電是一望無際的湖水，充電器內(nèi)的功率器件就像勺子，需要不斷將插孔內(nèi)的湖水撈出，轉(zhuǎn)化為直流電后再傳輸給數(shù)碼設(shè)備供電。此時(shí)，用MOSFET做的勺子每秒鐘只能勺10下，再快就有燒毀的風(fēng)險(xiǎn)。而GaNFET做的勺子每秒則可以勺至少30下，還不怕累。
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近年來，全新的數(shù)據(jù)接口USB Type-C數(shù)據(jù)線成為了行業(yè)熱門話題，越來越多的手機(jī)廠商選擇是使用type-c接口。不過也有人抱怨，使用這種接口的設(shè)備充電并不那么方便，那為何還有那么多廠商對Type-C接口青睞有加呢？Type-C接口插座端的尺寸與原來的Micro USB規(guī)格一樣小，約為8.3mm*2.5mm;可承受1萬次反復(fù)插拔；支持正反兩面均可插入的“正反插”功能（類似蘋果lightning接口）纖薄設(shè)計(jì)；大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)10GBit/s。
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